大功率IGBT模块，是指额定阻断电压1700V及以上、以硅基IGBT芯片及续流/快恢复二极管为核心，采用绝缘功率模块或压接型封装，用于数百千瓦至多MW级功率变换系统的功率半导体模块。按照实际商业产品体系，主要电压节点包括1700V、2000/2300V、3300V、4500V和6500V；其中1700V偏向低压大电流高功率，3300V是轨交及中压传动的重要成熟等级，4500/6500V则集中于电力传输、高压牵引及超大功率工业系统。主要电路结构包括SingleSwitch、Half-Bridge/Dual、Chopper以及部分三电平结构，高压串联和HVDC断路器等特殊场景还使用Press-Pa ......
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